随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统意义的SoC发展面临晶圆良率下降、生产成本飙升等众多挑战。目前业界已形成共识：将芯片设计能力与先进封装技术结合，可以有效规避晶圆制程带来的物理瓶颈，实现系统性能的跨越式提升。台积电的3DFabric技术路线图、华为提出的"τ（韬）定律"等，均体现了这一技术演进方向。
目前先进封装不论是2.5D还是3D封装 及"τ（韬）定律"等除了在wafer 上进行加工外，需要在物理层面的逐级加工。其中在Low Stress液态底部填充，Low CTE，Low Warpage液态塑封等环节都提出了较高的要求。尤其目前供应链依然被国外企业垄断，材料“卡脖子”问题凸显。
针对未来材料要求，聚鼎芯材从研发端和应用端入手，了解客户需求，市场痛点针对性研发。如混合键合，高密度叠构，传输距离极致压缩，多层垂直堆叠，对材料的热应力，散热性，流动性，Low k等提出了全新的需求。
针对以上痛点，聚鼎芯材针对性打磨了四大核心封装材料方案，精准适配摩尔定律及韬定律下的封装加工需求。
1、晶圆级底部填充胶
针对超细间距封装场景，CUF材料面临极大的研发矛盾：
为适配极致细密的线路间距，必须使用更小粒径的填料提升流动性、保证完整填充。但纳米级填料不仅成本高昂，还会导致CUF黏度大幅飙升，极大增加生产加工难度。
同时，高频高速传输场景下，CUF必须升级低Dk、低Df配方，降低信号介电损耗，保障传输效率。
◆聚鼎芯材VTU系列底部填充胶产品完美适配，并在客户端的验证表现优异，已经实现实际产品的应用和量产
2、HBM/HBF 3-D封装LCMUF; 2.5D封装LMC模封材料：高模量为芯片保驾护航
由于Hybrid Bonding的特性，使得上下晶圆缺少”粘着剂”，造成后续的MUF/LMC 必须有更高的Modulus 来保护晶圆。MUF/LMC模封材料必须提升模量强度，抵御热应力和机械损伤，保护堆叠芯片结构
◆聚鼎芯材VL系列 液态塑封材料针对此应用研发，实现国产材料平行替换，并在客户应用端表现优异
3、DAF 材料
先进封装，尤其是"τ（韬）定律"下对晶圆厚度提出了更极致的薄度的要求。需要采用超薄晶圆设计，否则叠加后的芯片厚度会严重超标，这就对DAF膜材提出了极致要求：厚度同步减薄，同时必须保留高粘接力、低应力特性，避免芯片脱落、形变；
◆具备适度流动性，可填补晶圆表面细微粗糙度，贴合更紧密；但流动性必须精准把控，过犹不及——流动性过强会导致溢胶，污染焊垫与微凸块，造成封装不良；
◆为降低多层芯片间的电磁干扰，DAF必须采用Low-k低介电材质，保障信号稳定传输。
◆聚鼎芯材VNF系列通过和国际知名大厂技术合作实现产品的量产和迭代。已经实现主要客户的量产。
4、DAP Nano silver sintering paste：纳米银改性，破解高功率导电导热瓶颈
“τ（韬）定律”概念的提出大幅提升了垂直功率密度，传统银膏已经无法适配高负荷工况。
传统银膏依靠物理接触导电，接触电阻偏高。在高功率密度、高热循环工况下，材料体积会反复膨胀，导致电阻率飙升、导电性能下降。
而“τ（韬）定律”的核心是降低传输时间常数τ，本质要求极低电阻、极致传输效率，二者形成严重矛盾。
针对此方面的需求聚鼎芯材研发高导热银浆，纳米烧结银改性银膏。
◆聚鼎芯材VTP系列高导热银浆，特别是电性稳定性，高可靠性，高导热性能等有优异表现，并在多家头部封装客户实现量产。
技术创新是核心，封装材料是落地根基。从CUF、MUF的性能与散热平衡，到DAF的超薄低介电设计，再到纳米银膏的高功率适配，每一种材料的技术突破，都决定了先进封装新技术，新概念能否大规模落地、稳定量产。芯片竞争的下半场，早已不只是制程、架构的比拼，更是高端封装材料、核心供应链的硬核较量。聚鼎芯材作为国内提供全套先进封装材料的领先材料公司，以领先的研发能力，稳定的产品特性为国产先进封装赋能。
