新能源汽车、光伏储能、轨道交通、5G 射频、工业电源等赛道高速扩容，功率半导体迎来全新发展周期。硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）三代功率器件同台竞技，器件功率密度、开关频率、工作温度持续突破，传统封装材料已难适配高温、高散热、高可靠工况。
当前功率半导体市场形成硅、碳化硅、氮化镓三足鼎立的技术格局，三者适配功率、频率场景差异显著：
1）硅基Si：成熟主流方案，适配低频低功率，仍是市场基础主力；
2）碳化硅SiC：大功率宽禁带核心，适配高压大功率；
3）氮化镓GaN：高频轻量化优选，主打高频中小功率；
三者市场应用区间各有侧重，对封装导热材料提出差异化需求。
全系列高导热芯片粘接材料，覆盖全功率段 Si/SiC/GaN 器件。
（一）普适型导电 DA 胶系列
2-10W/mK导热，适配中小功率MOSFET，适用于SOP、SOT、DFN等各类封装，主流裸铜和镀银框架通用，覆盖 1×1mm²~5×5mm² 的芯片尺寸，对主流≤3×3mm² 的MOSFET/HEMT芯片完美适用，同时实现低导通电阻Rdson和高可靠性(MSL/TCT/HTS等)。
1.低导热款VTP-6502 & 6503：环氧体系，2W/mK - 4W/mK导热，适用小功率器件，MSL3 等级，久经市场验证的低导通电阻Rdson。
2.中导热款VTP-6511 & 6512：环氧体系和BMI复合体系，10W/mK导热，适用于中小功率器件，MSL1 等级，久经市场验证的MSL和车规级可靠性。
（二）高导热导电DA 胶系列
20-50W/mK导热，适配中大功率MOSFET，适用于SOP、DFN、QFN、DirectFET和NEXFET等各类封装，主流裸铜和镀银框架通用，覆盖 1×1mm²~4×4mm² 的芯片尺寸，全面优化了小芯片面临的open time和胶层void问题，同时实现低导通电阻Rdson、高导热和高可靠性(MSL/TCT/HTS等)。
1.高导热款VTP-6515 & 6516：BMI复合体系和环氧体系，20W/mK导热，适用中大功率器件，MSL1 等级，车规级可靠性。
2.高导热款VTP-6518：环氧体系，30W/mK导热，适用于中大功率器件，MSL1 等级，车规级可靠性。
3.高导热款VTP-6520 & 6521：环氧体系，50W/mK导热，适用中大功率器件，MSL1 等级，车规级可靠性。
该系列多个产品，不同化学体系和导热等级，给予客户更多灵活选择。
（三）无压烧结银DA胶系列
VTP-8100/8120/8130/8180（100/140/150/200W/mK），固化过程无需加压，200℃即可完成烧结，为芯片提供优异的粘接力和导热通路，兼容背金与背银类芯片和镀金与镀银类基板与框架，全系 MSL1 高可靠性等级，适配大功率器件、通用功率模块，完美适配Si、GaAs、GaN等各类MOSFET和RF器件。
VTP-8100 同时可以粘接裸硅芯片，粘接强度与背银芯片相当，为包含背金属与裸硅芯片的多芯片封装提供同一适用材料，简化客户的BOM表。
（四）有压烧结银DA胶体系
VTP-9280（＞200W/mK），加压烧结工艺，20MPa压力、250℃完成烧结，导热性能表现优异，专为SiC高压大功率模块、超高功率新能源、储能设备定制，是第三代半导体高端封装核心材料。
（五）高导热 DAF 胶膜系列：适配驱动芯片、存储芯片叠层封装
1.非导电 VNF 胶膜：导热 1-5W/mK，SDBG适配，作业性优异，可靠性稳定。
2.导电 VCF-930 胶膜：导热 5-10W/mK，满足高端驱动IC、存储芯片叠层封装需求。
从硅基存量市场到 SiC/GaN 增量赛道，高导热芯片粘接材料是提升功率器件可靠性、释放芯片极限性能的关键一环。伴随第三代半导体渗透率持续提升，封装材料的导热、耐温、工艺适配能力，将成为企业核心竞争力。聚鼎芯材完整布局导电胶、DAF胶膜、无压 / 有压烧结银全品类芯片粘接材料，导热梯度从 1W/mK 至 200W/mK+全覆盖，一站式匹配硅、碳化硅、氮化镓全系列功率器件封装需求。面向未来功率半导体爆发周期，我们持续迭代高导热、高可靠、低成本封装材料方案，助力国产第三代半导体产业实现性能与品质双重突破。
